Samsung M425R2GA3BB0-CQK
Samsung M425R2GA3BB0-CQK - Arbeitsspeicher - 16 GB - DDR5-4800 - SO-DIMM - 1Rx8 - 262-polig - 1,1 V
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| Ausführung: | original |
|---|---|
| Erweiterungstyp: | Generisch |
| Formfaktor: | SO-DIMM 262-Pin |
| Geschwindigkeit: | 4800 MHz (PC5-38400) |
| Hersteller: | Samsung |
| Höhe: | 30 mm |
| Kapazität: | 16 GB |
| Kennzeichnung: | JEDEC |
| Latenzzeiten: | CL40 (40-39-39) |
| Spannung: | 1.1 V |
| Technologie: | DDR5 SDRAM |
| Typ: | DRAM Speichermodul |
| GPSR - Wirtschaftsakteur: | Samsung, Deutschland, Am Kronberger Hang 6, Schwalbach, 65824, pay@samsung.de |
|---|---|
| GPSR - Produkthersteller (Kontaktdaten für GPSR): | Samsung, Deutschland, Am Kronberger Hang 6, Schwalbach, 65824, pay@samsung.de |
| GPSR - EU Verantwortliche Person: | Samsung, Deutschland, Am Kronberger Hang 6, Schwalbach, 65824, pay@samsung.de |
| EU Data-Act-Url: | https://www.samsung.com/us/account/privacy-policy/data-privacy-framework/ |
| Sicherheitshinweis: | Sicherheitshinweise Storage & Speicher Deutsch.pdf |
| Warnhinweis: | Warnhinweise Storage & Speicher Deutsch.pdf |
| Ausführung: | original |
|---|---|
| Erweiterungstyp: | Generisch |
| Formfaktor: | SO-DIMM 262-Pin |
| Geschwindigkeit: | 4800 MHz (PC5-38400) |
| Hersteller: | Samsung |
| Höhe: | 30 mm |
| Kapazität: | 16 GB |
| Kennzeichnung: | JEDEC |
| Latenzzeiten: | CL40 (40-39-39) |
| Spannung: | 1.1 V |
| Technologie: | DDR5 SDRAM |
| Typ: | DRAM Speichermodul |
| GPSR - Wirtschaftsakteur: | Samsung, Deutschland, Am Kronberger Hang 6, Schwalbach, 65824, pay@samsung.de |
|---|---|
| GPSR - Produkthersteller (Kontaktdaten für GPSR): | Samsung, Deutschland, Am Kronberger Hang 6, Schwalbach, 65824, pay@samsung.de |
| GPSR - EU Verantwortliche Person: | Samsung, Deutschland, Am Kronberger Hang 6, Schwalbach, 65824, pay@samsung.de |
| EU Data-Act-Url: | https://www.samsung.com/us/account/privacy-policy/data-privacy-framework/ |
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